SIS776DN-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SIS776DN-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
3000+ | $0.483 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 15 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
SIS776DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIS776DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIS776DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|